湖南三安半导体基地项目致力于建设具有自主知识产权的以碳化硅等宽禁带材料为主的第三代半导体全产业链研发制造基地，项目投产后其产品可广泛应用于新能源汽车、光伏储能、充电桩、电源等领域。
2021年6月，总投资160亿元的湖南三安半导体基地一期项目投产。2022年7月，湖南三安半导体基地项目二期开建。
目前，三安在湖南长沙建设的碳化硅超级工厂，一期工程已量产，6吋SiC晶圆产能已达到30万片/年，二期工程预计24年底点亮通线，届时一期二期将共同贡献产能，完全达产后，整个项目总体将具备年产36万片6吋SiC晶圆、48万片8吋SiC晶圆的制造能力。
.jpg)
成立时间：2020年7月
总投资额：160亿元
占地面积：667,000平方米
综合产能：
一期6吋SiC晶圆产能达30万片/年
二期达产后，项目合计满产
6吋SiC晶圆36万片/年，8吋SiC晶圆48万片/年
