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湖南三安半导体具备 20 多年化合物半导体材料的开发和制造经验，可提供满足行业对低缺陷率和均匀性要求的碳化硅（SiC）衬底和外延技术。
湖南三安半导体提供在 150mm n 型导电碳化硅衬底上生长 n 型和 p 型外延层，产能可满足汽车和工业市场对碳化硅功率器件快速增长的需求。
您将在最好和最具创新性的宽带隙材料的基础上，与湖南三安半导体合作。
2024年9月29日-10月4日美国 北卡
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