7月24日，三安半导体举行芯片二厂M6B设备入场仪式。电力电子事业部总经理、湖南三安总经理江协龙先生携高管团队、各部门主管及骨干员工齐聚，共同见证这一重要时刻。这标志着三安SiC项目二期通线在即，将为全面加速8吋SiC产业布局，实现产线正式投产奠定良好基础。
江总在致辞中表示，M6B的建成投产是公司发展的里程碑，公司将继续提升产能与品质，打造8吋SiC垂直整合产业链。
在仪式的最后，江总携团队为M6B大楼进机剪彩，祝愿M6B在“芯”时代乘风破浪，再创辉煌。
三安SiC项目总投资达160亿人民币，旨在打造6吋/8吋兼容SiC全产业链垂直整合量产平台。项目达产后，将具备年产36万片6吋SiC晶圆、48万片8吋SiC晶圆的制造能力。M6B作为三安布局SiC产业的重要一环，其投产情况备受关注。预计到今年12月，M6B将实现点亮通线，8吋SiC芯片将正式投产，三安将正式转型为8吋SiC垂直整合制造商。
未来，三安将充分发挥自身优势，加大研发投入，提高产能，共同推动8吋SiC芯片领域的发展。在市场拓展利好消息的加持下，三安有望加速8吋SiC从材料到器件模块直至终端应用全流程的落地实施，为我国第三代半导体产业的发展注入强大动力。
