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2024-07-25

全面加速8吋SiC产业布局,三安半导体芯片二厂设备正式搬入

7月24日,三安半导体举行芯片二厂M6B设备入场仪式。电力电子事业部总经理、湖南三安总经理江协龙先生携高管团队、各部门主管及骨干员工齐聚,共同见证这一重要时刻。这标志着三安SiC项目二期通线在即,将为全面加速8吋SiC产业布局,实现产线正式投产奠定良好基础。


江总在致辞中表示,M6B的建成投产是公司发展的里程碑,公司将继续提升产能与品质,打造8吋SiC垂直整合产业链。


在仪式的最后,江总携团队为M6B大楼进机剪彩,祝愿M6B在“芯”时代乘风破浪,再创辉煌。


三安SiC项目总投资达160亿人民币,旨在打造6吋/8吋兼容SiC全产业链垂直整合量产平台。项目达产后,将具备年产36万片6吋SiC晶圆、48万片8吋SiC晶圆的制造能力。M6B作为三安布局SiC产业的重要一环,其投产情况备受关注。预计到今年12月,M6B将实现点亮通线,8吋SiC芯片将正式投产,三安将正式转型为8吋SiC垂直整合制造商。


未来,三安将充分发挥自身优势,加大研发投入,提高产能,共同推动8吋SiC芯片领域的发展。在市场拓展利好消息的加持下,三安有望加速8吋SiC从材料到器件模块直至终端应用全流程的落地实施,为我国第三代半导体产业的发展注入强大动力。


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汪柏帆

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