2024世界智能网联汽车大会（WICV 2024）于10月17-20日在北京亦庄隆重举行。在此次大会上，由中国科技信息发布的“2024汽车芯片&软件优秀成果案例”评选结果揭晓，三安半导体的1200V 8mΩ SiC MOSFET产品凭借其卓越性能和创新技术，成功入选。
随着智能网联汽车技术的飞速发展，汽车芯片领域正迎来前所未有的市场需求和技术革新。为反映这一领域的最新动态，中国科技信息在大会期间推出了“2024汽车芯片&软件优秀成果案例”表彰活动。该活动旨在通过企业自荐和联盟推荐的方式，综合评价技术领先性、产品创新点、市场竞争力等多个指标，为行业决策提供参考，促进产业合作，拓展市场平台。
三安此次获奖的1200V 8mΩ SiC MOSFET产品，采用创新技术，实现了业界超低的导通电阻，能够更大程度地降低开关损耗。这使得该产品非常适用于高频电路，可减小应用系统的整体尺寸，提升效率，大幅提高开关频率。值得一提的是，该产品已广泛应用于电机驱动、断路器、不间断电源等领域，其车规应用符合AEC-Q101标准，确保了在汽车电子领域的可靠性和稳定性。
此次获奖，不仅是对三安技术创新能力的认可，更是对其在汽车电子领域持续投入和努力的肯定。三安将继续致力于研发高性能、高可靠性的功率半导体产品，推动汽车电子技术的发展，助力汽车产业的电动化转型。
