12月5-6日，备受关注的2024全球汽车芯片创新大会在无锡成功召开，大会同期发布了中国汽车芯片创新成果评选结果。本次活动聚焦中国汽车芯片产品，通过综合考量其上车应用情况、供货稳定性、创新能力和应用前景，全面展示了我国汽车芯片领域的技术创新与产业进步。
1、技术驱动行业升级
随着新能源汽车的快速普及，全球汽车芯片需求持续增长，为芯片企业带来了广阔的发展空间。尽管芯片短缺的情况已大幅改善，技术突破与产业生态的优化仍是行业发展的核心驱动力。
作为全球化分工的关键环节，汽车芯片不仅肩负着推动技术进步的使命，也在构建全球生态、实现竞争合作中扮演重要角色。中国汽车工业协会通过本次评选，旨在推动汽车芯片产业优化升级，加速中国汽车产业高质量发展。
2、技术创新再获肯定
在本次评选中，三安半导体的1200V/16mΩ SiC MOSFET AMS1200016B凭借出色的技术表现和广阔的市场前景，成功入围“2024中国汽车芯片创新成果-功率类”奖项。
这款SiC MOSFET产品在关键技术参数上达到了国际先进水平，包括：
阈值电压（Vth）：提升了器件的抗干扰能力；
导通电阻（Rdson）：实现更低的功率损耗；
击穿电压（BV）：提供更高的可靠性和耐用性。
同时，该产品在可靠性测试方面表现优异，已通过HTRB（高温反向偏置）、HTGB（高温栅极偏置）和HV-H3TRB（高湿高压高温反偏）等1000小时测试，验证了其在严苛应用环境中的稳定性。
目前，这款SiC MOSFET已被导入国内重点新能源汽车客户的主驱系统验证中，将为提升车辆的功率密度、能源效率和整体性能提供有力支持。
3、技术引领产业未来
三安半导体的入围不仅是对其技术创新能力的肯定，也彰显了其在国产汽车芯片领域的重要地位。该成果的实现，标志着国产汽车芯片在关键技术领域正逐步缩小与国际巨头的差距，为推动国内汽车产业链自主可控打下了坚实基础。
三安半导体相关负责人表示：“作为国内具有影响力的宽禁带功率半导体企业，我们将持续以技术创新为驱动力，深化SiC等先进材料的研发应用，加速新能源汽车关键技术突破，助力汽车芯片产业实现高质量发展。”
