12月11-12日，一年一度第三代半导体产业盛会——“2024行家说三代半年会·碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼”在深圳成功召开。三安半导体荣膺“8英寸SiC先锋奖”、“中国SiC IDM十强企业”，8英寸N型车规级SiC衬底和1200V/13mΩ SiC MOSFET两款产品分获“年度创新产品”和“年度优秀产品”奖，充分彰显了三安在推动SiC技术创新和产业化应用中的领先地位。
2024年，SiC和GaN产业在迈向大规模普及应用的进程中，虽已成为新能源汽车、“光储充”、数据中心等领域的关键技术，应用领域不断拓展，但也面临着需求波动、价格下降、内卷加剧、法规限制等诸多挑战，产业界正积极调整应对。8英寸等大尺寸晶圆成为降本的重要方向，然而其量产技术尚不成熟，产业链协同创新、先进装备和材料的支持显得尤为重要。为表彰在技术创新、推广应用、产业化等方面作出突出贡献的企业和优秀产品，今年“行家极光奖”增加“8英寸SiC先锋奖”。三安凭借在8英寸SiC方面的突出表现，荣耀登榜。
本届年会的论坛环节，三安半导体技术总监叶念慈博士带来主题演讲《宽禁带功率半导体为汽车电气化提供新动力》，深入剖析了SiC和GaN技术在汽车电气化进程中的关键作用和广阔前景。研发经理张政带来技术报告《8英寸碳化硅单晶材料进展》，分享了三安在8英寸SiC单晶材料研发量产方面的最新成果。
此外，三安半导体还深度参与了《2024碳化硅产业调研白皮书》的内容编写，汇集了行业内的研究成果和市场趋势，为行业发展提供了宝贵的参考。
