9月5日，三安半导体与虹安微电子在湖南长沙签署战略合作协议，旨在加强双方在SiC领域的合作，推动产能保障和技术支持，共同应对新能源汽车、光储充等市场需求。
近年来，随着新能源汽车、光储充等市场的快速发展，SiC功率器件的需求持续走高。据TrendForce集邦咨询研究显示，2023年全球SiC Power Device市场规模约为30.4亿美元，预计到2028年将上升至91.7亿美元，年复合增长率（CAGR）达到25%。在这一市场背景下，三安半导体与虹安微电子的战略合作显得尤为重要。
通过战略合作，三安半导体将为虹安微电子提供稳定的SiC产能保障，确保后者在快速发展市场中能够满足客户需求；同时，双方将在SiC技术方面进行深入合作，共享研发资源，加速技术创新和产品升级。
三安半导体总经理江协龙出席并致辞，表达了对此次合作的高度重视和期待。江总表示：“我们非常高兴与虹安微电子建立战略合作伙伴关系，这次合作将有助于提升双方在SiC领域的竞争力。我们将全力以赴，确保产能保障和技术支持的到位。”
虹安微电子总经理倪崇尧也在签约仪式上发表了讲话，对三安半导体的支持表示感谢，并对未来的合作充满信心。倪总表示：“与三安半导体的携手，为我们带来了新的发展机遇。我们将以此合作为契机，不断提升自身的技术实力和创新能力，为客户提供更加优质的产品和服务。”
关于虹安微电子
湖南虹安微电子有限责任公司成立于2023年，是一家总部位于长沙市湘江新区，在昆山、深圳等地设有研发中心及办事处的新创企业。产品主要集中在各类功率器件研发与应用技术研究，产品包括低压、中压、高压全系列功率MOSFET MCU微控制器等，其产品广泛应用于PC/服务器、消费电子、通讯电源、工业控制、汽车电子及新能源产业等领域。
关于三安半导体
湖南三安半导体有限责任公司（简称：三安半导体），作为上市公司三安光电（SH600703）的全资子公司，是一家专注于电力电子领域，提供功率半导体产品及代工服务的制造商。拥有国内为数不多的SiC全产业链垂直整合制造服务平台，且产能规模、技术水平在全球同行业中具有竞争力，产品与服务包括SiC MOSFET/SBD、SiC衬底/外延、车规级SiC功率模块代工等，服务于新能源汽车、直流充电桩、光伏储能、工业电源、家用电器、消费电子等场景和领域。
