9月23-24日，由ISES国际半导体高管峰会主办的2024国际汽车半导体创新发展论坛在无锡圆满落幕。本次活动汇聚了全球超过150名汽车半导体行业的高管及CEO，围绕“驱动未来：功率半导体应用及其创新”这一主题，展开深入探讨。
当前，中国半导体产业链逐步完善，但与较为成熟的美国、欧洲、日韩市场相比仍有差距。为持续助力中国新能源汽车在全球范围内蓬勃发展，促进国际集成电路的技术、产业、投资交流融合，ISES策划了此次盛会。
三安半导体技术总监叶念慈博士受邀出席了此次论坛，并在“开创性的电动出行”板块中发表了关于功率半导体相关技术创新的演讲。他阐述了宽禁带功率半导体在汽车电气化中的应用，强调了其在提高电力转换效率、延长续航里程和降低系统成本等方面的优势，同时，叶博士展示了三安在这一领域的研发、制造和服务能力，致力于推动电动汽车产业的发展。
在交流环节，叶博士还参与了讨论目前以及未来在电动出行方面遇到的挑战及创新，他认为，随着电动汽车市场的快速增长，对高性能功率半导体的需求也在不断上升。持续降低成本、提高能效和提升系统可靠性是当前的主要挑战，而技术创新，如新材料的开发、器件结构的优化和制造工艺的改进，是应对这些挑战的关键。他分享了三安在这些领域的最新进展，并展望了未来技术的发展趋势。
2024国际汽车半导体创新发展论坛的成功举办，不仅促进了全球汽车半导体行业的技术交流与合作，也为三安等企业提供了展示自身技术创新实力的平台。随着湖南及重庆8吋SiC项目的通线投产，三安将进一步为国内外市场提供更多的高质量SiC衬底和功率芯片，满足不断增长的电动汽车市场需求。
