9月29日至10月4日，SiC领域国际顶会2024年碳化硅及相关材料国际会议（ICSCRM 2024）在美国北卡罗来纳州罗利举行。作为年度科技盛会，ICSCRM旨在探索、展示和讨论SiC和其他宽禁带半导体领域的最新成果。此次会议吸引超过1200名来自业界、学术界和公共部门的代表参加，共同探讨技术进展和未来趋势。
近年来，随着SiC衬底、外延、器件设计、制造及电源模块等技术的显著进步，SiC电子产品在全球范围内迅速普及，成为推动高效“万物电气化”的关键力量。而ICSCRM会议提供了一个独特的交流平台，让材料科学家、技术专家、工程师等专业人员能够分享技术更新、研究成果、开发经验和应用知识，共同促进SiC技术的广泛应用，以实现脱碳和能源可持续性。
作为三安制造战略中的关键举措之一，三安在本届会议上重点展示了8英寸SiC晶圆。为积极开展产能建设，促进实现效率提升，三安将全面转向8英寸产线和工艺，同时加强垂直整合，开发高质量8英寸SiC衬底。通过稳定供应SiC功率半导体，以满足市场日益增长的长期需求。
芯片器件产品方面，三安带来了650V-1700V SiC MOSFET和650V-2000V SiC SBD等多款性能优异的自研产品，这些产品覆盖工规级和车规级，拥有低开关损耗、优异的抗雪崩能力、低导通电阻以及快速反向恢复等特性，适用于主驱逆变器、车载充电机、高压直流转换器、充电桩、光伏逆变器、工业电源、家用电器等领域，可有效提升能源转换效率。
此次参会不仅进一步提升了三安在国际上的知名度和影响力，也为公司拓展海外市场、深化与客户的合作奠定了坚实的基础。未来，三安将继续秉承“科技创新、追求卓越”的理念，不断研发赋能新能源应用的高效产品，致力于为全球客户提供更优质的服务，为推动电气化和低碳化带来更多可能性，助力行业技术进步与发展。
