简介
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湖南三安氮化镓技术平台覆盖100/200V低压 E-Mode器件， 650V/900V E-Mode和D-Mode器件，以及GaN IC集成芯片，应用端涵盖DC-DC转化、适配器、消费快充、伺服电机等，逐渐从消费电子领域扩展至工业领域和新能源汽车等。目前氮化镓圆晶代工平台主要集中在650V E-HEMT 技术的开发和扩展，一方面进一步提高芯片可靠性，稳定量产需求；一方面缩小芯片面积，降低成本，提高芯片价格优势。基于成熟的650V制程工艺，功率GaN代工平台将扩展至更广泛的应用领域（更高电流、更高电压、更低电压等等）。
三安 650V GaN E-HEMT 主要亮点：
1. 先进的6寸外延/工艺技术（关键工艺技术可扩展至8寸）;
2. 基于P-GaN肖特基栅的常关型E-HEMT器件技术；
3. 兼容市面主流的电压型GaN驱动技术；
4. 各种应用场景下稳定的动态特性（Dyn_RON），保障系统稳定；
5.优异的品质因子: RON·A - (~300 mΩ·mm2), RON·QG - (~300 mΩ·nC)
Partnership Opportunity
Ø全产业链垂直整合，实现对原材料的把控；
Ø提供多元化服务，可以定制化开发；
Ø优秀的研发团队，及时的信息反馈，完善的质量体系；
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